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短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)分析
2020-11-27
短溝道效應(yīng)-MOSFET的短溝道效應(yīng)分析MOSFET的短溝道效應(yīng)當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時(shí),會(huì)出現(xiàn)一些不同于
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詳細(xì)解析MOS管示意圖,構(gòu)造知識(shí)要點(diǎn)
2020-11-27
詳細(xì)解析MOS管示意圖,構(gòu)造知識(shí)要點(diǎn)MOS管示意圖，構(gòu)造解析下圖MOS管工作原理示意圖為N溝道增強(qiáng)型MOS管工作原理示意圖，其電路符號(hào)如圖所示。
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防倒灌電路設(shè)計(jì)-MOS管防倒灌電路知識(shí)分享
2020-11-27
防倒灌電路設(shè)計(jì)-MOS管防倒灌電路知識(shí)分享MOS管防倒灌電路MOS管防倒灌電路設(shè)計(jì)如下圖所示:在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口
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MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解詳析,就是這么簡(jiǎn)單
2020-11-26
MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解詳析,就是這么簡(jiǎn)單MOS管結(jié)構(gòu)原理MOS管又稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semicondu
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什么是Qg,MOS管Qg的概念詳解
2020-11-26
什么是Qg,MOS管Qg的概念詳解MOS管Qg的概念解析MOS管Qg概念Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷，是指MOS開(kāi)關(guān)完全
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理詳細(xì)解析
2020-11-26
電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理詳細(xì)解析MOS管H橋原理電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做驅(qū)
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開(kāi)關(guān)知識(shí)|模擬多路開(kāi)關(guān)-MOSFET|概述與工作原理
2020-11-26
開(kāi)關(guān)知識(shí)|模擬多路開(kāi)關(guān)-MOSFET|概述與工作原理多路開(kāi)關(guān)-MOSFET：概述多路開(kāi)關(guān):在多路被測(cè)信號(hào)共用一路A D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，用來(lái)將多
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安裝與更換MOS管注意事項(xiàng)
2020-11-26
安裝與更換MOS管注意事項(xiàng)安裝和更換MOS管注意事項(xiàng)一、安裝和更換MOS管前的準(zhǔn)備1 由于MOS管柵極絕緣層很薄，柵漏電容較小。有U=Q C，所以靜
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MOS管知識(shí)|詳解MOSFET中的噪聲
2020-11-26
MOS管知識(shí)|詳解MOSFET中的噪聲MOSFET中的噪聲噪聲源MOS器件的本底噪聲是器件中電壓和電流的自發(fā)漲落，與電子電荷的離散性緊密相關(guān)。噪聲的
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集成運(yùn)算放大器|場(chǎng)效應(yīng)管集成運(yùn)放解析
2020-11-26
集成運(yùn)算放大器|場(chǎng)效應(yīng)管集成運(yùn)放解析場(chǎng)效應(yīng)管集成運(yùn)算放大器場(chǎng)效應(yīng)管集成運(yùn)放：集成電路一般是在一塊厚0 2~0 5mm、面積約為0 5mm2的硅片，
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VMOS分享-感溫VMOS場(chǎng)效應(yīng)管主要特性分析
2020-11-25
VMOS分享-感溫VMOS場(chǎng)效應(yīng)管主要特性分析感溫VMOS場(chǎng)效應(yīng)管主要特性(1)這是一套N型智能VMOS功率器件,在器件的柵源極間制作了一個(gè)溫度傳感器。
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集成電路知識(shí)|MOS集成電路中的寄生效應(yīng)解析
2020-11-25
集成電路知識(shí)|MOS集成電路中的寄生效應(yīng)解析MOS集成電路中的寄生效應(yīng)在MOS集成電路中，除了電路設(shè)計(jì)中需要的MOS管外，還存在著一些不需要的