MOS晶體管種類(lèi)
按溝道區(qū)中載流子類(lèi)型分
N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重?fù)诫s的N＋，溝道中載流子為電子
P溝MOS晶體管：襯底為N型，源漏為重?fù)诫s的P＋，溝道中載流子為空穴
在正常青況下，只需一種類(lèi)型的載流子在工作，因此也稱(chēng)其為單極晶體管。
按工作方式分增強(qiáng)型晶體管：若在零柵壓下不存在漏源導(dǎo)電溝道，為了構(gòu)成導(dǎo)電溝道，需求施加一定的柵壓，也就是說(shuō)溝道要經(jīng)過(guò)、"增強(qiáng)"才干導(dǎo)通
耗盡型晶體管：器件本身在漏源之間就存在導(dǎo)電溝道，即使在零柵壓下器，件也是導(dǎo)通的e 若要使器件截止，就必需施加?xùn)艍菏箿系篮谋M型。
假定、漏端電壓Vds為正，當(dāng)柵上施加一個(gè)小于開(kāi)啟電壓的正柵壓時(shí)，柵氧下面的P型表面區(qū)的空穴被耗盡，在硅表面構(gòu)成一層負(fù)電荷，這些電荷被稱(chēng)為耗盡層電荷Qb。這時(shí)的漏源電流為透露電流。假定Vgs>Vth，在哩硅表面構(gòu)成可移動(dòng)的負(fù)電蒲Qi層，即導(dǎo)電溝道。由于表面為N型的導(dǎo)電溝道與哩襯底的導(dǎo)電類(lèi)型相反，因此該表面導(dǎo)電溝道被稱(chēng) 為反型層。
在Vgs=Vth時(shí)，表面的少數(shù)載流子濃度（電子）等于休內(nèi)的多數(shù)載流子（空穴）的濃度。柵壓越高，表面少數(shù)載流子的電荷密度Qi越高。（可動(dòng)電荷Qi也可稱(chēng)為反型電荷）此時(shí)，假定漏源之間存在電勢(shì)差，由于載流子（NMOS中為電子）的擴(kuò)散，會(huì)構(gòu)成電流Ids。這時(shí)PN結(jié)的透露電流仍然存在，但它與 溝道電流相比非常小，普通可以忽略。由于反型電荷Qi猛烈地依賴(lài)與柵壓，因此可以應(yīng)用柵壓控制溝道電流。
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